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ATP113-TL-H

ATP113-TL-H

ATP113-TL-H

onsemi

MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK

compliant

ATP113-TL-H Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.58366 -
6,000 $0.55448 -
15,000 $0.53363 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 35A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 29.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2400 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor ATPAK
paquete / caja ATPAK (2 leads+tab)
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Número de pieza relacionado

APT20M45BVRG
BSP603S2LNT
FDA20N50F
FDA20N50F
$0 $/pedazo
SCT4026DRHRC15
SI1469DH-T1-E3
STP150N10F7
NVMFS5C673NLAFT3G
NVMFS5C673NLAFT3G
$0 $/pedazo

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