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EFC6601R-TR

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onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

compliant

EFC6601R-TR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.26775 -
10,000 $0.25840 -
25,000 $0.25330 -
684263 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate, 2.5V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 48nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-XFBGA, FCBGA
paquete de dispositivo del proveedor EFCP2718-6CE-020
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Número de pieza relacionado

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