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EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

no conforme

EFC6602R-A-TR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet Logic Level Gate, 2.5V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-XFBGA, FCBGA
paquete de dispositivo del proveedor EFCP2718-6CE-020
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Número de pieza relacionado

EFC6601R-A-TR
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$0 $/pedazo
SI7964DP-T1-GE3
FW344A-TL-2W
FW344A-TL-2W
$0 $/pedazo
2N7002DW-7
FDMS3602S
MVDF2C03HDR2G
MVDF2C03HDR2G
$0 $/pedazo
SI7940DP-T1-E3
STS8DNH3LL
STS8DNH3LL
$0 $/pedazo

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