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FDB12N50TM

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

compliant

FDB12N50TM Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
800 $1.04766 $838.128
1,600 $0.96147 -
2,400 $0.89516 -
5,600 $0.86200 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 11.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1315 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

RM130N30D3
RM130N30D3
$0 $/pedazo
SQJ164ELP-T1_GE3
IRF3805STRL-7PP
NVMFS5C604NLWFAFT1G
NVMFS5C604NLWFAFT1G
$0 $/pedazo
SCH1332-TL-W
SCH1332-TL-W
$0 $/pedazo
IPW60R024P7XKSA1
CSD17555Q5A
CSD17555Q5A
$0 $/pedazo

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