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FDC3512

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6

FDC3512 Ficha de datos

compliant

FDC3512 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.35856 -
6,000 $0.33383 -
15,000 $0.32146 -
30,000 $0.31472 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 77mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 634 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

NTBG080N120SC1
NTBG080N120SC1
$0 $/pedazo
STFI9N80K5
STFI9N80K5
$0 $/pedazo
SQD50034EL_GE3
R5007FNX
R5007FNX
$0 $/pedazo
NVHL027N65S3F
NVHL027N65S3F
$0 $/pedazo
2SK3709
2SK3709
$0 $/pedazo

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