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FDD5N53TM_WS

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onsemi

MOSFET N-CH 530V 4A DPAK

no conforme

FDD5N53TM_WS Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 530 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 640 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

STSJ25NF3LL
CMS01P10T-HF
STFILED627
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$0 $/pedazo
IRLZ14S
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$0 $/pedazo
IRFR3412TRRPBF
IRFIBC40G
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$0 $/pedazo
IRL630STRR
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$0 $/pedazo
IXTH130N15T
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