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FDD86367-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

compliant

FDD86367-F085 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.71333 -
5,000 $0.67766 -
12,500 $0.65219 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4840 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 227W (Tj)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

AUIRF7759L2TR
HUF75652G3
HUF75652G3
$0 $/pedazo
NTMFS005N10MCLT1G
NTMFS005N10MCLT1G
$0 $/pedazo
SIJA54DP-T1-GE3
IRFH8202TRPBF
NTMFS022N15MC
NTMFS022N15MC
$0 $/pedazo

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