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FDN8601

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

FDN8601 Ficha de datos

compliant

FDN8601 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.38500 -
6,000 $0.36575 -
15,000 $0.35200 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 109mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 210 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

DI050N04PT
SI2301CDS-T1-GE3
IXTQ26N50P
IXTQ26N50P
$0 $/pedazo
STD1NK60-1
STD1NK60-1
$0 $/pedazo
STP25N80K5
STP25N80K5
$0 $/pedazo
APT20M18LVRG
SQJA16EP-T1_GE3
STB160N75F3

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