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FDS2672

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC

FDS2672 Ficha de datos

compliant

FDS2672 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.84767 -
5,000 $0.81806 -
12,500 $0.80192 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.9A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 70mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2535 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

SI2102A-TP
PHB27NQ10T,118
SUP90P06-09L-E3
APT5015SVFRG
RSD200N05TL
DMP3098LSS-13
CSD17327Q5A
CSD17327Q5A
$0 $/pedazo

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