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FDS4675

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onsemi

MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

FDS4675 Ficha de datos

compliant

FDS4675 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.59055 -
5,000 $0.56265 -
12,500 $0.54273 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 11A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 13mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4350 pF @ 20 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

DMN2991UTQ-7
FDN359AN
FDN359AN
$0 $/pedazo
AUIRFS3806
AUIRF1010ZL
APT34M60B
DMG2307L-7
ZXMN4A06GQTA

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