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FDS5351

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC

FDS5351 Ficha de datos

compliant

FDS5351 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.34964 -
5,000 $0.32681 -
12,500 $0.31540 -
25,000 $0.30918 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.1A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1310 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

ZXMN0545G4TA
FQPF9N50CT
IPU95R750P7AKMA1
IRFR320TRPBF
IRFR320TRPBF
$0 $/pedazo
NTTFS4C58NTAG
NTTFS4C58NTAG
$0 $/pedazo
NTMFS5C645NLT1G
NTMFS5C645NLT1G
$0 $/pedazo
DMT69M8LFV-13
IXTA120P065T
IXTA120P065T
$0 $/pedazo
STFU6N65
STFU6N65
$0 $/pedazo

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