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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) | 650 V |
Corriente media rectificada (io) | 4A |
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 1.75 V @ 4 A |
velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
corriente - fuga inversa @ vr | 200 µA @ 650 V |
capacitancia @ vr, f | 247pF @ 1V, 100kHz |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 4-PowerTSFN |
paquete de dispositivo del proveedor | 4-PQFN (8x8) |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
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