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FQP3P50

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onsemi

MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3

FQP3P50 Ficha de datos

no conforme

FQP3P50 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.71000 $1.71
10 $1.52000 $15.2
100 $1.20930 $120.93
500 $0.94656 $473.28
1,000 $0.75551 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 660 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

BUK769R6-80E,118
STF26NM60ND
CPH6604-TL-E
CPH6604-TL-E
$0 $/pedazo
NVD5C454NT4G
NVD5C454NT4G
$0 $/pedazo
FDB060AN08A0
FDB060AN08A0
$0 $/pedazo
SSR2N60B

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