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MVGSF1N03LT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23

no conforme

MVGSF1N03LT1G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.30583 -
6,000 $0.28586 -
15,000 $0.27588 -
30,000 $0.27044 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 140 pF @ 5 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 420mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

FDH038AN08A1
DMG3420UQ-7
FDS6614A
BSO072N03S
HRFZ44N
IXTK140N30P
IXTK140N30P
$0 $/pedazo
SIS176LDN-T1-GE3
BUK964R2-55B,118
IRFH8325TRPBF

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