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NCV5707BDR2G

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onsemi

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

no conforme

NCV5707BDR2G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.78300 $0.783
500 $0.77517 $387.585
1000 $0.76734 $767.34
1500 $0.75951 $1139.265
2000 $0.75168 $1503.36
2500 $0.74385 $1859.625
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
configuración impulsada High-Side and Low-Side
tipo de canal Single
Número de conductores 1
tipo de puerta IGBT, N-Channel MOSFET
voltaje - suministro 7V ~ 20V
voltaje lógico - vil, vih 0.75V, 4.3V
Corriente - salida pico (fuente, sumidero) 7.8A, 6.8A
tipo de entrada Inverting
voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) -
tiempo de subida/bajada (típico) 9.2ns, 7.9ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TA)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

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