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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | N and P-Channel |
característica fet | Logic Level Gate |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 2.9A, 3.2A |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
vgs(th) (máximo) @ id | 1.2V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 2.3nC @ 4.5V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 165pF @ 10V |
potencia - máx. | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
paquete de dispositivo del proveedor | ChipFET™ |
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