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NTHS4101PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET

compliant

NTHS4101PT1G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.36015 -
6,000 $0.33531 -
15,000 $0.32289 -
30,000 $0.31612 -
2500 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.8A (Tj)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2100 pF @ 16 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor ChipFET™
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
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Número de pieza relacionado

FQPF7N65CYDTU
FQPF7N65CYDTU
$0 $/pedazo
NVMFS5C460NLAFT3G
NVMFS5C460NLAFT3G
$0 $/pedazo
APT5010JVFR
IRLL014NTRPBF
IXTA130N15X4
IXTA130N15X4
$0 $/pedazo
IRF7749L1TRPBF
IXTN110N20L2
IXTN110N20L2
$0 $/pedazo
FDP22N50N
FDP22N50N
$0 $/pedazo

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