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NTJD1155LT1

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onsemi

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

no conforme

NTJD1155LT1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N and P-Channel
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 8V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.3A
rds activado (máximo) @ id, vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 400mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
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Número de pieza relacionado

DMN63D1LDW-13
SI4500BDY-T1-GE3
NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/pedazo
SI6966EDQ-T1-GE3
SI5935DC-T1-E3
SI7946DP-T1-E3

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