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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N and P-Channel |
| característica fet | Standard |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | - |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V |
| potencia - máx. | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
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