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NTMD6601NR2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

compliant

NTMD6601NR2G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
60595 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.1A
rds activado (máximo) @ id, vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 400pF @ 25V
potencia - máx. 600mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

MCQ4559-TP
NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G
$0 $/pedazo
BSO150N03
DMN3022LFG-13
FDJ1028N
QS6K1TR
QS6K1TR
$0 $/pedazo
NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G
$0 $/pedazo
DMN2005DLP4K-7

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