Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 3.95A (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 2.5V, 4.5V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1.25V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| vgs (máximo) | ±10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 1900 pF @ 16 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 790mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.