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NTTFS5811NLTWG

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN

no conforme

NTTFS5811NLTWG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 17A (Ta), 53A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1570 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja 8-PowerWDFN
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Número de pieza relacionado

BUZ31 E3046
IRLZ24NSTRR
NX7002BKM315
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$0 $/pedazo
IXTA110N055T7
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$0 $/pedazo
2V7002LT3G
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$0 $/pedazo
SUM40N02-12P-E3
IRFZ40
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$0 $/pedazo
IPD05N03LB G

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