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NTTFS6H860NLTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

no conforme

NTTFS6H860NLTAG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.26423 $0.26423
500 $0.2615877 $130.79385
1000 $0.2589454 $258.9454
1500 $0.2563031 $384.45465
2000 $0.2536608 $507.3216
2500 $0.2510185 $627.54625
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 30µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 610 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja 8-PowerWDFN
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Número de pieza relacionado

NDF06N60ZH
NDF06N60ZH
$0 $/pedazo
IPD65R380C6ATMA1
FDS8874
STB55NF06LT4
AUIRFS4127TRL
IRLML9301TRPBF
CSD18513Q5A
CSD18513Q5A
$0 $/pedazo
SI3493BDV-T1-E3

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