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NVD5867NLT4G-TB01

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3

compliant

NVD5867NLT4G-TB01 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 39mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 675 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DPAK-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

SI5461EDC-T1-E3
IPS031N03L G
SI8417DB-T2-E1
FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS
$0 $/pedazo
SI5856DC-T1-E3
IRF3707ZCS
BUK7226-75A,118
VN2222LLRLRA
VN2222LLRLRA
$0 $/pedazo
IRLR8743PBF

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