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NVDSH20120C

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onsemi

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

compliant

NVDSH20120C Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $11.52751 $11.52751
500 $11.4122349 $5706.11745
1000 $11.2969598 $11296.9598
1500 $11.1816847 $16772.52705
2000 $11.0664096 $22132.8192
2500 $10.9511345 $27377.83625
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 26A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.75 V @ 20 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 200 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 1480pF @ 1V, 100kHz
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja TO-247-2
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-2
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

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