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NVH4L018N075SC1

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NVH4L018N075SC1

onsemi

SIC MOS TO247-4L 750V

SOT-23

no conforme

NVH4L018N075SC1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $18.83091 $18.83091
500 $18.6426009 $9321.30045
1000 $18.4542918 $18454.2918
1500 $18.2659827 $27398.97405
2000 $18.0776736 $36155.3472
2500 $17.8893645 $44723.41125
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 750 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 140A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V, 18V
rds activado (máximo) @ id, vgs 18mOhm @ 66A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 4.3V @ 22mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 262 nC @ 18 V
vgs (máximo) +22V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5010 pF @ 375 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
paquete / caja TO-247-4
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Número de pieza relacionado

SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/pedazo
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/pedazo
IPW60R099P7XKSA1
DMN4060SVT-7
IRFB7740PBF

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