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NVH4L080N120SC1

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NVH4L080N120SC1

onsemi

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

compliant

NVH4L080N120SC1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $12.30000 $12.3
500 $12.177 $6088.5
1000 $12.054 $12054
1500 $11.931 $17896.5
2000 $11.808 $23616
2500 $11.685 $29212.5
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 29A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 20V
rds activado (máximo) @ id, vgs 110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 4.3V @ 5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 20 V
vgs (máximo) +25V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1670 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 170mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
paquete / caja TO-247-4
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Número de pieza relacionado

SIHD240N60E-GE3
TN0604N3-G-P013
ZVN4306GVTA
DMN63D8LW-7
UJ4SC075006K4S
UJ4SC075006K4S
$0 $/pedazo
RM4435
RM4435
$0 $/pedazo
ATP203-TL-H
ATP203-TL-H
$0 $/pedazo
DMN6068SEQ-13
IRFS11N50ATRLP

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