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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| característica fet | Logic Level Gate |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 16A, 40A |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 10mOhm @ 8A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 3V @ 4.38mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 5180pF @ 10V |
| potencia - máx. | 1.7W, 2.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| paquete de dispositivo del proveedor | HSO8-F3-B |
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