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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
corriente - colector (ic) (máx.) | 500 mA |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50 V |
resistencia - base (r1) | 2.2 kOhms |
resistencia - base del emisor (r2) | 2.2 kOhms |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 40 @ 100mA, 10V |
saturación vce (máx.) @ ib, ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Corriente de corte del colector (máx.) | 1µA |
frecuencia - transición | 200 MHz |
potencia - máx. | 300 mW |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete / caja | 3-SIP |
paquete de dispositivo del proveedor | NS-B1 |
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