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PJC7412_R1_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

no conforme

PJC7412_R1_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 500mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 0.87 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 34 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-323
paquete / caja SC-70, SOT-323
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Número de pieza relacionado

MMSF7P03HDR2G
MMSF7P03HDR2G
$0 $/pedazo
DMN3052LSS-13
NTHS5443T1G
NTHS5443T1G
$0 $/pedazo
MCH3474-TL-H
MCH3474-TL-H
$0 $/pedazo
MSC035SMA170S
SIE802DF-T1-GE3
PHP191NQ06LT,127
SI7145DP-T1-GE3

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