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PJD11N06A_L2_00001

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PJD11N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD11N06A_L2_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 75mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 509 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

SFI9Z14TU
FQI7N10LTU
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
$0 $/pedazo
IRFH6200TRPBF
SIHF065N60E-GE3
PMN42XPE,115
SI1012X-T1-GE3
IPB60R280C6ATMA1

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