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PJL9411_R2_00001

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PJL9411_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJL9411_R2_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
2497 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8.4A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1169 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

IXFA22N60P3
IXFA22N60P3
$0 $/pedazo
CSD16408Q5
CSD16408Q5
$0 $/pedazo
IXFK20N120P
IXFK20N120P
$0 $/pedazo
FDMS2572
FDMS2572
$0 $/pedazo
STP7NK80Z
STP7NK80Z
$0 $/pedazo
BSZ042N06NSATMA1
LSIC1MO120E0160
NVTFS4C05NWFTAG
NVTFS4C05NWFTAG
$0 $/pedazo
FDB050AN06A0
FDB050AN06A0
$0 $/pedazo

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