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PJP4NA65H_T0_00001

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PJP4NA65H_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP4NA65H_T0_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.91000 $0.91
500 $0.9009 $450.45
1000 $0.8918 $891.8
1500 $0.8827 $1324.05
2000 $0.8736 $1747.2
2500 $0.8645 $2161.25
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 16.1 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 423 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

SPP24N60C3XKSA1
IRLR3410TRRPBF
IRLI3705NPBF
IRLU014PBF
IRLU014PBF
$0 $/pedazo
PSMN014-80YLX
IXTQ16N50P
IXTQ16N50P
$0 $/pedazo
IXFN170N10
IXFN170N10
$0 $/pedazo
DMG2302UQ-13
NVTFS6H880NWFTAG
NVTFS6H880NWFTAG
$0 $/pedazo

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