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PJW2P10A_R2_00001

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PJW2P10A_R2_00001

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJW2P10A_R2_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 650mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 448 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-223
paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
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Número de pieza relacionado

GT095N10K
FDP3205
PMXB75UPE/M5147
PMXB75UPE/M5147
$0 $/pedazo
IXTA10P15T-TRL
IXTA10P15T-TRL
$0 $/pedazo
IXTA80N10T-TRL
IXTA80N10T-TRL
$0 $/pedazo
BTS110NKSA1
SCT20N120AG
SQJ409EP-T1_GE3

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