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PJW3P10A_R2_00001

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PJW3P10A_R2_00001

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJW3P10A_R2_00001 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 210mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1419 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-223
paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
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Número de pieza relacionado

SIHP17N60D-GE3
STL19N60DM2
TP2540N3-G-P002
IRF6617TRPBF
FQP13N10
FQP13N10
$0 $/pedazo
APT58M80J
STQ2HNK60ZR-AP
SIHFL9110TR-GE3
GPI65015DFN
GPI65015DFN
$0 $/pedazo

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