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P3M12160K3

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SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3

compliant

P3M12160K3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $8.83000 $8.83
500 $8.7417 $4370.85
1000 $8.6534 $8653.4
1500 $8.5651 $12847.65
2000 $8.4768 $16953.6
2500 $8.3885 $20971.25
25 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 19A
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V
rds activado (máximo) @ id, vgs 192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (máximo) @ id 2.4V @ 2.5mA (Typ)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) +21V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 110W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3L
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

APT6029BLLG
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/pedazo
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/pedazo
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/pedazo
IXTY8N70X2
IXTY8N70X2
$0 $/pedazo

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