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QJD1210010

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Powerex Inc.

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

no conforme

QJD1210010 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 500nC @ 20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 10200pF @ 800V
potencia - máx. 1080W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Chassis Mount
paquete / caja Module
paquete de dispositivo del proveedor Module
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Número de pieza relacionado

APTC60AM83B1G
APTM50DUM35TG
ECH8619-TL-E
ECH8619-TL-E
$0 $/pedazo
MKE38P600TLB
MKE38P600TLB
$0 $/pedazo
VMM85-02F
VMM85-02F
$0 $/pedazo
CMS02P02T6-HF

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