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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración de diodos | 2 Independent |
| tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| voltaje - cc inversa (vr) (máx.) | 1200 V |
| Corriente rectificada promedio (io) (por diodo) | 100A (DC) |
| voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 1.8 V @ 100 A |
| velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| corriente - fuga inversa @ vr | 1 mA @ 1200 V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| tipo de montaje | Chassis Mount |
| paquete / caja | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor | Module |
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