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RM002N30DF

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

no conforme

RM002N30DF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 85A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4345 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

IXTH150N15X4
IXTH150N15X4
$0 $/pedazo
PSMN070-200P,127
PSMN5R6-60YLX
IRFBC40PBF
IRFBC40PBF
$0 $/pedazo
FDD6776A
IXTP4N65X2
IXTP4N65X2
$0 $/pedazo
IPD65R380E6
STH150N10F7-2

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