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RM4N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

compliant

RM4N650IP Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 280 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-251
paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número de pieza relacionado

STFW8N120K5
MTAJ30N06ELFK
MTAJ30N06ELFK
$0 $/pedazo
SI3437DV-T1-E3
STF17N80K5
STF17N80K5
$0 $/pedazo
2SK2731T146
RM40P40LD
RM40P40LD
$0 $/pedazo
FQP12P10
FQP12P10
$0 $/pedazo
STB7NK80Z-1

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