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RM80N30DF

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 81A 8DFN

no conforme

RM80N30DF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.16000 $0.16
500 $0.1584 $79.2
1000 $0.1568 $156.8
1500 $0.1552 $232.8
2000 $0.1536 $307.2
2500 $0.152 $380
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 81A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2295 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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STD1057T4
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$0 $/pedazo
NVTYS005N04CTWG
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SQS840CENW-T1_GE3
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IXTA36N30P-TRL
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$0 $/pedazo
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