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H5N3011P80-E#T2

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N-CHANNEL POWER MOSFET

no conforme

H5N3011P80-E#T2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $12.62000 $12.62
500 $12.4938 $6246.9
1000 $12.3676 $12367.6
1500 $12.2414 $18362.1
2000 $12.1152 $24230.4
2500 $11.989 $29972.5
4770 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto -
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje -
paquete de dispositivo del proveedor -
paquete / caja -
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Número de pieza relacionado

SI4842BDY-T1-GE3
NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G
$0 $/pedazo
IPS105N03LG
APT10090BFLLG
STD9NM40N
STD9NM40N
$0 $/pedazo
RM3010
RM3010
$0 $/pedazo
IRFI9540GPBF
IRFI9540GPBF
$0 $/pedazo

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