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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
característica fet | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 20A |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 43nC @ 10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 2600pF @ 10V |
potencia - máx. | 54W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
paquete de dispositivo del proveedor | 20-HSOP |
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