Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 27A (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 2.5V, 8V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 4.3mOhm @ 13.5A, 8V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1.5V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 37 nC @ 4 V |
| vgs (máximo) | ±12V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 3610 pF @ 10 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 20W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| paquete / caja | 8-PowerWDFN |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.