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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Not For New Designs |
| tipo de transistor | PNP - Pre-Biased + Diode |
| corriente - colector (ic) (máx.) | 500 mA |
| Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50 V |
| resistencia - base (r1) | 4.7 kOhms |
| resistencia - base del emisor (r2) | 4.7 kOhms |
| Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 47 @ 50mA, 5V |
| saturación vce (máx.) @ ib, ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corriente de corte del colector (máx.) | 500nA |
| frecuencia - transición | 200 MHz |
| potencia - máx. | 200 mW |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| paquete de dispositivo del proveedor | SMT3 |
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