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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
corriente - colector (ic) (máx.) | 100 mA |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | - |
resistencia - base (r1) | 1 kOhms |
resistencia - base del emisor (r2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 33 @ 5mA, 5V |
saturación vce (máx.) @ ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente de corte del colector (máx.) | - |
frecuencia - transición | 250 MHz |
potencia - máx. | 350 mW |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
paquete de dispositivo del proveedor | SST3 |
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