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HP8S36TB

HP8S36TB

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

compliant

HP8S36TB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.58800 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 27A, 80A
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 47nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 6100pF @ 15V
potencia - máx. 29W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-PowerTDFN
paquete de dispositivo del proveedor 8-HSOP
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Número de pieza relacionado

SI7940DP-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-E3
APTM08TDUM04PG
SI4388DY-T1-GE3
SI1553DL-T1-GE3
ZDM4306NTC
SH8M14TB1
SH8M14TB1
$0 $/pedazo
IRFHE4250DTRPBF
IRF9952QTRPBF

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