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QS6M3TR

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MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

QS6M3TR Ficha de datos

no conforme

QS6M3TR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.18135 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V, 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.5A
rds activado (máximo) @ id, vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 1.6nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 80pF @ 10V
potencia - máx. 1.25W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)
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Número de pieza relacionado

EFC6602R-TR
EFC6602R-TR
$0 $/pedazo
IRF7341PBF
SI4804CDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-GE3
DMP22D5UDJ
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT1H
$0 $/pedazo
CSD75211W1723
SI5904DC-T1-GE3
DMP3098LSD-13

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