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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | 2 N-Channel (Dual) |
característica fet | Standard |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 6A |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 20nC @ 10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 390pF @ 10V |
potencia - máx. | 550mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |
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