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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N and P-Channel |
| característica fet | Standard |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
| potencia - máx. | 1.1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |
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